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硅碳棒发热体单件电阻不是一样

    圈50,3E的炉内沮度和硅碳棒衰面负荷的关系间断使用和连续使用的关不硅碳棒氧化生成Si02膜在一定程度上可以防止氧的扩散,从而减缓了硅碳棒的继续氧么如发热体表面温度急剧上升或下降.即间断使用,由千反复加热冷却在270℃左右又有晶相变化(a日),这样产生的膨胀收缩使SiOz膜破坏,从而失去保护作用而加速氧化,老化加快,缩短寿命.正因为如此,连续使用寿命长,间断使用寿命短。为了延长硅碳棒的寿命,即使间断使用时沪温不要降到500℃以下,或在0℃左右、相变点附近慢慢上升和下降.炉内气氛和处理物的影响如砖碳棒发热体化学性能一节所叙述的那样,炉内浪氛和处理匆挥发成分与发热体之间的化学仄应,使发热体电阻变化.影响发热体的寿命。
    硅碳棒发热体单件电阻不是一样的,有大有小,若采r串联,电流一样大小,则每个单件发出的热量不一样.电阻大的发热多.元件温度高,氧化就快氧化快电阻增加快,这样发热就更多,元件温度就更高,就会进一步加速该元件的氧化,所以并联接线方式是理想的.但采用并联接线方式,变压器等电气设备的电流容量大,从经济观点出发,一般采用并联串联并用的方法。但这只限于2个串联或两组串联,特别是在炉温超过 1350C的高温情况下。接线方式如图s所示,对三相接线情况,希望采甩单相三回路的方式。www.beritawan.com

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