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立方相的碳化硅(日-SiC)纳米硅碳棒
    采用中间模板路线在soo7o0℃相对低的温度下,用四氯乙烯和四氯化硅作为原材料,用溶剂热的方法合成了立方相的碳化硅(日-SiC)纳米硅碳棒.这种可选择性的路线为理解一维纳米材料的生长提供了实验上的依据.用X射线衍射,光电子能谱,拉曼光谱,透射电镜以及选区电子衍射对产物进行了表征.碳化硅纳米硅碳棒大约长800^1750nm,直径为50^60nm.一维纳米材料如纳米硅碳棒(或纳米线)、纳米管等因其在电学、光学、磁学等方面显示特殊的性能和在介观研究、纳米器件等方面有着巨大的应用潜力,已成为材料科学界的研究热点.迄今为止,材料学家和化学家已经成功地制备了各种各样的一维纳米材料,包括金属硫化物,碳化物(TiC,SiC,NbC,BCx),氧化物(MgO,Ca0)氮化物(GaN,Si3N4).这些材料当中,碳化硅由于具有独特的物理和电子性质而广泛应用于高温、高频和高功率电子器件等方面,这促使科学家们探索各种各样的方法来合成碳化硅.目前,关于碳化硅晶须的制备有很多方法,成功的用碳纳米管作模板在高达11000C的温度下合成了碳化物纳米硅碳棒.采用两步反应得到了碳化硅纳米线.此外,一些方法也能够用来合成碳化硅,但都需要很高的处理温度.最近,通过Si0的分解和碳纳米管在12000C反应得到了几种一维结构的碳化硅.用硅凝胶和活性炭反应获得了碳化硅的纳米线,这需要用氢气作还原剂在很高的温度下才能获得.因此在较低的温度下制备碳化硅纳米硅碳棒仍是一个挑战.采用还原碳化路线在相对低的温度下获得了一维纳米结构的碳化硅,并采用气液固机理来解释它们的生长机理.然而,并没有直接的实验证据.在以前合成碳纳米管和纳米硅碳棒的基础之上,用其做模板合成了碳化硅的纳米硅碳棒.同时,热力学计算表明,该反应热力学上是自发的和剧烈的放热反应,有利于碳化硅的结晶.www.beritawan.com
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