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直拉硅碳棒轴向机械强度分布

    用泪试抗7度的方法侧定了气氛下直拉硅碳棒轴向机械强度分布。与红外分析:N果比较表叼,含氮C31中1-N对7浓度对硅碳棒强度分布起着比间隙氧更重要的作用,碳浓度达zcm时,对硅碳棒强度无显著影响。在含氧的C-Si中,由于氧聚集在位错的周围,钉札了位错,从而比氢气氛下区熔硅的机械强度明显优越C1幻,掺氟的区熔硅因氮的强钉札位错能力而使其力学性能得到改善。我国在氮气氛下拉制的C-Si已成功地用于大功率晶体管生产当O、N同时存在时,它们对单晶硅机械强度的影响关系所见推道很少。本工作通过侧试抗弯强度,测定了含氮cZ-s至硅碳棒轴向机械强度的分布,结合付里叶红外光谱分祈讨论了间隙氧、K-n;对及碳浓度变化:对机械性能的影响。含氮cz-s由浙江大学半导体研究所提供,主要参数列于表Ia在单晶硅碳棒不同部位取样,硅碳棒切成厚mm、长3flmmw宽mm的条状。经研磨后,化学抛光成镜面,用三点弯法在拉力机上进行力学性能测试,按下列公式计算抗弯强度式中口为抗弯强度nmP为硅碳棒脆断时的正压力,为下刀口跨距mm户为硅碳棒宽度,rnm五为硅碳棒厚度,m们。每组硅碳棒约高纯硅及硅烷国家实验室基金资助项目个,取其算术平均值为该组硅碳棒抗弯强度值。厚mrn的硅片经化学抛光至镜面后,在IicoIet-?OOFTIR仪上测定1V,O,C含量。用同样厚度的真空区熔硅片做参比样,分辨率4crn,扫描次数100次〔N:=1.83xI0cm-s实际上,由于IV.U的相互作用,T-Si中氮含量大于(2)式计算值。www.beritawan.com

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