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放电等离子烧结制备硅碳棒基涂层

    (1)向废弃硅碳棒粉末中添加硅、碳单质粉末,加入磨球后通过实验混料机进行球磨混料,转速100r/min,混料时间5 h。
    (2)加工石墨使其尺寸适合放电等离子烧结所用模具,抛光去除表面的氧化物和油污,在酒精中超声波清洗lOmin,随后在50℃烘箱中干燥备用。
    (3)按照下层粉末、石墨基体、上层粉末的顺序向模具中加入混料后的粉末和石墨基体。再将模具放入放电等离子烧结炉进行烧结制备硅碳棒基涂层。
液相烧结制备硅碳棒基涂层
    (1)将硅碳棒粉末与硅粉通过实验混料机进行球磨混料,转速100r/min,混料时间5 h。
    (2)加工石墨基体确保尺寸适合工艺,抛光去除表面的氧化物和油污,在酒精中超声波清洗l Omin,随后在50℃烘箱中干燥备用。
    (3)把混料后的粉末放入柑祸,再将石墨基体包埋于粉末中。在氢气状态下于2100 ℃保温2h制备硅碳棒基涂层。浆料法制备硅碳棒基涂层
    (1)将硅碳棒粉末与其他添加粉末通过实验混料机进行球磨混料,转速100r/min,混料时间5 h。
    (2)利用去离子水,膨润土以及混合粉末通过行星式球磨机配置膨润土溶液,转速4SOr/min,混料时间2h,制备好的浆料备用。
    (3)加工铂片使其便于涂刷,抛光去除表面的氧化物和油污,在酒精中超声波清洗l Omin,随后在50℃烘箱中干燥备用。
    (#)将浆料涂刷至铂基体表面,放入烘箱烘干。重复该过程2-3次,进行高温烧结。
    氧化实验在以硅铂棒为发热元件的高温马弗炉中进行,具体过程如下:待马弗炉升至氧化温度,将烘干后的试样放入炉腔。试样在炉中放置规定时间后,取出试样,待其冷却至室温时称重。称重后再放入炉中进行氧化,待达到目标氧化时间后停止实验。试样质量变化率可通过式2-1计算:式中△M%为试样质量变化率。为试样氧化前的质量,ml为试样氧化后的质量。www.beritawan.com

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